布魯克Bruker IR300 納米級紅外光譜儀 尺寸圖標
名稱：光譜儀
品牌：
型號：
簡介：Dimension IconIR300? 大樣品納米紅外系統(tǒng)為半導體應(yīng)用提供高速、高精度的納米級表征，具有無與倫比的功能、樣品大小和材料類型靈活性。通過結(jié)合專有的光熱紅外光譜和納米級AFM特性映射功能，IconIR300能夠在最廣泛的晶圓和...
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- 產(chǎn)品介紹
Dimension IconIR300? 大樣品納米紅外系統(tǒng)為半導體應(yīng)用提供高速、高精度的納米級表征，具有無與倫比的功能、樣品大小和材料類型靈活性。通過結(jié)合專有的光熱紅外光譜和納米級AFM特性映射功能，IconIR300能夠在最廣泛的晶圓和光掩模樣品上進行自動晶圓檢測和缺陷識別。該系統(tǒng)顯著地將AFM-IR技術(shù)的應(yīng)用擴展到半導體行業(yè)領(lǐng)域，超出了傳統(tǒng)技術(shù)的范圍。
IconIR300 建立在 Dimension IconIR 系統(tǒng)的突破性大樣品架構(gòu)之上，可提供相關(guān)的顯微鏡和化學成像，以及增強的分辨率和靈敏度。該系統(tǒng)與自動化晶圓處理和先進的數(shù)據(jù)收集/分析軟件集成，可節(jié)省更多的時間和成本并提高生產(chǎn)效率。
面向半導體行業(yè)的卓越納米級紅外光譜和化學成像
只有尺寸圖標IR300系統(tǒng)提供：
全晶圓，無損測量200毫米和300毫米晶圓;
使用與FTIR庫直接相關(guān)的數(shù)據(jù)明確識別半導體晶圓和光掩模上的有機和無機納米污染物;
無損臺階高度測量和納米級材料性能映射;和
基于配方的自動化測量和 KLARF 文件支持，便于用戶訪問全面數(shù)據(jù)。
200mm和300mm晶圓的全晶圓測量
我們獲得專利的獨特AFM-IR模式套件和專有的峰值力攻絲?特性映射模式，以及IconIR300的大樣品架構(gòu)，為最廣泛的半導體應(yīng)用提供了最大的樣品靈活性。IconIR300 可對直徑達 300 mm 的樣品進行全晶圓測量，測量范圍廣，厚度和材料類型多種多樣，包括：
有機和無機樣品;
圖案化晶圓;
裸晶圓;
光掩模;和
數(shù)據(jù)存儲介質(zhì)晶圓。
此外，表面敏感AFM-IR模式使IconIR300能夠?qū)Τ练e在半導體材料上的聚合物薄膜提供獨特、可靠的表面敏感化學測量。
尺寸 IconIR300 系統(tǒng)在 300 mm 晶圓缺陷檢測期間的內(nèi)視圖
用于半導體應(yīng)用的最高性能納米級紅外光譜
在PS-LDPE聚合物共混物的不同位點收集的高質(zhì)量共振增強AFM-IR光譜，說明了高度的材料靈敏度和對納米級材料特性的更深入洞察
布魯克是基于光熱AFM-IR的納米紅外光譜的創(chuàng)新者，這是納米紅外社區(qū)的首選技術(shù)。
尺寸圖標IR300提供：
具有FT-IR相關(guān)性的高精度，豐富，詳細的光譜，實現(xiàn)對薄污染物的納米級測量;
各種先進的操作模式，支持工業(yè)和學術(shù)用戶的各種樣品測量;
最高性能的AFM-IR光譜，半導體應(yīng)用中領(lǐng)先的納米紅外模式;和
對聚合物薄膜進行可靠的表面敏感化學測量。
晶圓和光掩模上的最高分辨率化學成像
Dimension IconIR300 行業(yè)領(lǐng)先的 AFM 性能和布魯克獲得專利的攻絲 AFM-IR 成像共同增強了我們納米紅外技術(shù)的空間分辨率和樣品可及性。
尺寸圖標IR300提供：
<10nm化學空間分辨率，用于對各種樣品類型進行成像，包括軟有機和無機污染物;
一致、可靠和高質(zhì)量的數(shù)據(jù);和
AFM-IR技術(shù)用于去除任何和所有機械偽影，確保只收集真實的化學成分。
PS-b-PMMA嵌段共聚物在攻絲AFM-IR模式下的高分辨率化學成像，顯示樣品形貌（a）;1730 （b） 處的紅外圖像;和 1492 cm-1 （c） 分別突出顯示 PMMA 和 PS。圖（b）中的黃色箭頭表示化學分辨率<10 nm。疊加圖像 （d） 捕獲合成圖。
用于識別納米污染物的高級自動化
IconIR300 配備了我們專有的 AutoMET? 軟件套件，可實現(xiàn)多級自動化，用于實時和離線對各種樣品類型的無損 AFM 測量。
關(guān)鍵自動化功能包括：
臺階高度研究以及納米級材料性能映射。
光學和AFM圖像模式識別;
尖端居中;
完整的晶圓或網(wǎng)格映射支持;
圖像放置精度在幾十納米以內(nèi);
全面、簡單的食譜編寫;和
KLARF文件導入功能，支持納米紅外自動化功能。
這些功能，加上具有高分辨率紅外光譜的納米級化學表征，使學術(shù)和工業(yè)用戶能夠克服半導體材料傳統(tǒng)缺陷識別的局限性。
高度圖像（a）和來自裸硅晶片上污染物的光熱AFM-IR光譜（b）。FTIR 庫的匹配結(jié)果將污染物標識為聚對苯二甲酸乙二醇酯。
表面靈敏模式采集表面涂層的光譜信息（綠色曲線），共振增強模式采集體積范圍的信息，包括表面涂層和下層體材料（褐色曲線）
采用布魯克最新專利表面靈敏模式，IconIR將探測深度從500納米降低到數(shù)十納米，無需制備截面，無縫結(jié)合高空間分辨率和高表面靈敏度。
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